SiC6とHeの衝突による回転励起と非LTE解析

SiC6とHe衝突による状態間熱レート係数を算出し、炭素星における高J回転遷移の非LTEモデリングを検証した。

• 炭素星IRC+10216で検出されたSiC6の励起状態を評価するため、He衝突によるレート係数が必要とされていた。
• 量子散乱計算により、低回転準位には密結合法、高回転準位には結合状態近似を用いてレート係数を算出した。
• 結合状態近似が高回転準位の非LTEモデリングに十分適用可能であることを確認した。
• 得られたデータセットを用いた解析により、高J遷移が非LTE効果を受けてサブサーマル励起されていることが示された。

原文タイトル: Rotational excitation of SiC$_6$ by collisions with helium: cross sections, rate coefficients and non-LTE modeling

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