低温窒化ケイ素膜のマイクロ波誘電損失評価

低温ICPCVDによる窒化ケイ素膜のマイクロ波誘電損失について、原料ガス比率とRF基板バイアスの影響を評価し、低損失化の条件を特定した。

• 低温（150度）で作製する超伝導検出器向けの窒化ケイ素膜の誘電損失を評価した。
• 超伝導共振器を用いて4〜7GHz帯の誘電正接を測定し、二重準位系モデルで損失を算出した。
• N2/SiH4の流量比を小さくすることやRF基板バイアスの印加が損失低減に有効であることを見出した。

原文タイトル: Microwave Loss in Low-Temperature ICPCVD Silicon Nitride: Dependence on Precursor Ratio and RF Substrate Bias

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